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TPH3206LSB
MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
Número da peça
TPH3206LSB
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
3-PowerDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PQFN (8x8)
Dissipação de energia (máx.)
81W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.6V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
720pF @ 480V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
8V
Vgs (máx.)
±18V
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