TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Número da peça
TPCF8B01(TE85L,F,M
Fabricante/Marca
Series
U-MOSIII
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
VS-8 (2.9x1.5)
Dissipação de energia (máx.)
330mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.2V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
6nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
470pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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