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TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
Número da peça
TK31V60X,LQ
Fabricante/Marca
Series
DTMOSIV-H
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
4-VSFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DFN-EP (8x8)
Dissipação de energia (máx.)
240W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
Super Junction
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3000pF @ 300V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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