Toshiba Semiconductor and Storage
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TK14G65W,RQ
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TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Número da peça
TK14G65W,RQ
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
DTMOSIV
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Dissipação de energia (máx.)
130W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 690µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1300pF @ 300V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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