TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
Número da peça
TK10V60W,LVQ
Fabricante/Marca
Series
DTMOSIV
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
4-VSFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DFN-EP (8x8)
Dissipação de energia (máx.)
88.3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
Super Junction
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.7V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
700pF @ 300V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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