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2SK2719(F)

2SK2719(F)

MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN
Número da peça
2SK2719(F)
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P(N)
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
900V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
750pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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