CSD19506KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Número da peça
CSD19506KTT
Fabricante/Marca
Series
NexFET™
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
DDPAK/TO-263-3
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
80V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
156nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
12200pF @ 40V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
6V, 10V
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