CSD16411Q3
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Número da peça
CSD16411Q3
Fabricante/Marca
Series
NexFET™
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-VSON (3.3x3.3)
Dissipação de energia (máx.)
2.7W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
14A (Ta), 56A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
570pF @ 12.5V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
+16V, -12V
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