CSD13306W
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Número da peça
CSD13306W
Fabricante/Marca
Series
NexFET™
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
6-UFBGA, DSBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-DSBGA (1x1.5)
Dissipação de energia (máx.)
1.9W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
11.2nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1370pF @ 6V
Vgs (máx.)
±10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
2.5V, 4.5V
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