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TSM9ND50CI
500V, 9A, 0.9O SINGLE N-CHANNEL
Número da peça
TSM9ND50CI
Fabricante/Marca
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacote de dispositivos do fornecedor
ITO-220
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
24.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1116pF @ 50V
Vgs (máx.)
±30V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
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