TSM950N10CW RPG
MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Número da peça
TSM950N10CW RPG
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-261-4, TO-261AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Dissipação de energia (máx.)
9W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
95 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
9.3nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1480pF @ 50V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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