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TSM4ND65CI
650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Número da peça
TSM4ND65CI
Fabricante/Marca
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacote de dispositivos do fornecedor
ITO-220
Dissipação de energia (máx.)
41.6W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
16.8nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
596pF @ 50V
Vgs (máx.)
±30V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
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