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TSM4N60ECH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Número da peça
TSM4N60ECH C5G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251 (IPAK)
Dissipação de energia (máx.)
86.2W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
545pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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