TSM150NB04LCR RLG
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Número da peça
TSM150NB04LCR RLG
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerLDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PDFN (5x6)
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 56W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10A (Ta), 41A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
966pF @ 20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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