TSM120N10PQ56 RLG
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Número da peça
TSM120N10PQ56 RLG
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerTDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PDFN (5x6)
Dissipação de energia (máx.)
36W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
145nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3902pF @ 30V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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