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STP19NM50N
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
Número da peça
STP19NM50N
Fabricante/Marca
Series
MDmesh™ II
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
34nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1000pF @ 50V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
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