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STP150N10F7

STP150N10F7

MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
Número da peça
STP150N10F7
Fabricante/Marca
Series
DeepGATE™, STripFET™ VII
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
117nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8115pF @ 50V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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