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STB35N65DM2
NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28
Número da peça
STB35N65DM2
Fabricante/Marca
Series
MDmesh™ M2
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Dissipação de energia (máx.)
210W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
54nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2400pF @ 100V
Vgs (máx.)
±25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
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