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STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Número da peça
STB11NM80T4
Fabricante/Marca
Series
MDmesh™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
43.6nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1630pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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