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R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
Número da peça
R6030KNZ1C9
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247
Dissipação de energia (máx.)
305W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
56nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2350pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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