NVD5890NLT4G
MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
Número da peça
NVD5890NLT4G
Fabricante/Marca
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Dissipação de energia (máx.)
4W (Ta), 107W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
24A (Ta), 123A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4760pF @ 25V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
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