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NVD5867NLT4G
MOSFET N-CH 60V DPAK
Número da peça
NVD5867NLT4G
Fabricante/Marca
Series
Automotive, AEC-Q101
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Dissipação de energia (máx.)
3.3W (Ta), 43W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6A (Ta), 22A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
39 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
675pF @ 25V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
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