NVD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Número da peça
NVD5865NLT4G
Fabricante/Marca
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10A (Ta), 46A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1400pF @ 25V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 2248 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deNVD5865NLT4G
NVD5865NLT4G Componentes eletrônicos
NVD5865NLT4G vendas
NVD5865NLT4G Fornecedor
NVD5865NLT4G Distribuidor
NVD5865NLT4G Tabela de dados
NVD5865NLT4G fotos
Preço NVD5865NLT4G
NVD5865NLT4G Oferta
NVD5865NLT4G Preço mais baixo
NVD5865NLT4G Pesquisa
NVD5865NLT4G Comprando
Ficha NVD5865NLT4G