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NTNS3A65PZT5G
MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
Número da peça
NTNS3A65PZT5G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SC-101, SOT-883
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Dissipação de energia (máx.)
155mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
281mA (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.1nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
44pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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