Compre ON Semiconductor NSBC123JPDP6T5G TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

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NSBC123JPDP6T5G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

Número da peça

NSBC123JPDP6T5G

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Series

Status da peça

Active

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote/Caixa

SOT-963

Potência - Máx.

339mW

Pacote de dispositivos do fornecedor

SOT-963

Tipo de transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Atual - Coletor (Ic) (Máx.)

100mA

Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)

50V

Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Atual - Corte do Coletor (Máx.)

500nA

Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Frequência - Transição

Resistência - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistor - Base Emissor (R2)

47 kOhms

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