ON Semiconductor
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FDMD86100
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FDMD86100

MOSFET 2N-CH 100V
Número da peça
FDMD86100
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
PowerTrench®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerWDFN
Potência - Máx.
2.2W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-Power 5x6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Recurso FET
Standard
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2060pF @ 50V
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