ON Semiconductor
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FDG6335N
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FDG6335N

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Número da peça
FDG6335N
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
PowerTrench®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Potência - Máx.
300mW
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-70-6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
700mA
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
113pF @ 10V
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