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ECH8601M-TL-H-P
MOSFET 2N-CH
Número da peça
ECH8601M-TL-H-P
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SMD, Flat Lead
Potência - Máx.
-
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-ECH
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
24V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
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