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2SJ665-DL-1EX
MOSFET P-CH 100V 27A TO263
Número da peça
2SJ665-DL-1EX
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TA)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-2
Dissipação de energia (máx.)
65W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
27A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
77 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
-
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
74nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4200pF @ 20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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