PMDPB42UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Número da peça
PMDPB42UN,115
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
6-UDFN Exposed Pad
Potência - Máx.
510mW
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN2020-6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.9A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
3.5nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
185pF @ 10V
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