PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Número da peça
PHT6NQ10T,135
Fabricante/Marca
Series
TrenchMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-261-4, TO-261AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
633pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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