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APTC80H29T1G
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
Número da peça
APTC80H29T1G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
SP1
Potência - Máx.
156W
Pacote de dispositivos do fornecedor
SP1
Tipo FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET
Standard
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
15A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
290 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.9V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2254pF @ 25V
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