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APT80SM120S
POWER MOSFET - SIC
Número da peça
APT80SM120S
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
D3Pak
Dissipação de energia (máx.)
625W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
235nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
20V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
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