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2N6849U
MOSFET P-CH 100V 18-LCC
Número da peça
2N6849U
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
18-CLCC
Pacote de dispositivos do fornecedor
18-ULCC (9.14x7.49)
Dissipação de energia (máx.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
34.8nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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