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SI2333-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Número da peça
SI2333-TP
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23
Dissipação de energia (máx.)
350mW (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 500mA, 1.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1275pF @ 6V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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