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SI2321-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Número da peça
SI2321-TP
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23
Dissipação de energia (máx.)
350mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
715pF @ 6V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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