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IXTY18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
Número da peça
IXTY18P10T
Fabricante/Marca
Series
TrenchP™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
39nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2100pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±15V
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