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IXTQ200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
Número da peça
IXTQ200N10T
Fabricante/Marca
Series
TrenchMV™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Dissipação de energia (máx.)
550W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
152nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9400pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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