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IXTN600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
Número da peça
IXTN600N04T2
Fabricante/Marca
Series
GigaMOS™, TrenchT2™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
SOT-227-4, miniBLOC
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Dissipação de energia (máx.)
940W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
600A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.05 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
590nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
40000pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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