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IXTN32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
Número da peça
IXTN32P60P
Fabricante/Marca
Series
PolarP™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
SOT-227-4, miniBLOC
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Dissipação de energia (máx.)
890W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
196nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
11100pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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