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IXTF6N200P3
MOSFET N-CH
Número da peça
IXTF6N200P3
Fabricante/Marca
Series
Polar™
Status da peça
Active
Embalagem
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Pacote de dispositivos do fornecedor
ISOPLUS i4-PAC™
Dissipação de energia (máx.)
215W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
2000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
143nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3700pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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