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IXTA6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
Número da peça
IXTA6N100D2
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (IXTA)
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
Depletion Mode
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (máx.) @ ID
-
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
95nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2650pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
-
Vgs (máx.)
±20V
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