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IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV

MOSFET N-CH
Número da peça
IXTA3N100D2HV
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263HV
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
Depletion Mode
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3A (Tj)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1020pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
0V
Vgs (máx.)
±20V
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