A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
IXTA3N100D2HV
MOSFET N-CH
Número da peça
IXTA3N100D2HV
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263HV
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
Depletion Mode
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3A (Tj)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1020pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
0V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 1362 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deIXTA3N100D2HV
IXTA3N100D2HV Componentes eletrônicos
IXTA3N100D2HV vendas
IXTA3N100D2HV Fornecedor
IXTA3N100D2HV Distribuidor
IXTA3N100D2HV Tabela de dados
IXTA3N100D2HV fotos
Preço IXTA3N100D2HV
IXTA3N100D2HV Oferta
IXTA3N100D2HV Preço mais baixo
IXTA3N100D2HV Pesquisa
IXTA3N100D2HV Comprando
Ficha IXTA3N100D2HV