A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
IXTA1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
Número da peça
IXTA1N120P
Fabricante/Marca
Series
PolarVHV™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (IXTA)
Dissipação de energia (máx.)
63W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
17.6nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
550pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 3161 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deIXTA1N120P
IXTA1N120P Componentes eletrônicos
IXTA1N120P vendas
IXTA1N120P Fornecedor
IXTA1N120P Distribuidor
IXTA1N120P Tabela de dados
IXTA1N120P fotos
Preço IXTA1N120P
IXTA1N120P Oferta
IXTA1N120P Preço mais baixo
IXTA1N120P Pesquisa
IXTA1N120P Comprando
Ficha IXTA1N120P