A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
IXFX30N110P

IXFX30N110P

MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
Número da peça
IXFX30N110P
Fabricante/Marca
Series
HiPerFET™, PolarP2™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
PLUS247™-3
Dissipação de energia (máx.)
960W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
6.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
235nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
13600pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 3369 PCS
Informações de contato
Palavras-chave deIXFX30N110P
IXFX30N110P Componentes eletrônicos
IXFX30N110P vendas
IXFX30N110P Fornecedor
IXFX30N110P Distribuidor
IXFX30N110P Tabela de dados
IXFX30N110P fotos
Preço IXFX30N110P
IXFX30N110P Oferta
IXFX30N110P Preço mais baixo
IXFX30N110P Pesquisa
IXFX30N110P Comprando
Ficha IXFX30N110P