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IXFR14N100Q2
MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
Número da peça
IXFR14N100Q2
Fabricante/Marca
Series
HiPerFET™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
ISOPLUS247™
Pacote de dispositivos do fornecedor
ISOPLUS247™
Dissipação de energia (máx.)
200W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.1 Ohm @ 7A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
83nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2700pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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