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IXFH60N65X2
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Número da peça
IXFH60N65X2
Fabricante/Marca
Series
HiPerFET™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
-
Dissipação de energia (máx.)
780W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
107nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6180pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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