IRLMS2002GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
Número da peça
IRLMS2002GTRPBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SOT-23-6
Pacote de dispositivos do fornecedor
Micro6™(SOT23-6)
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
22nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1310pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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