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IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Número da peça
IRLL024NTRPBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-261-4, TO-261AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
55V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
15.6nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
510pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4V, 10V
Vgs (máx.)
±16V
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