IRLHS6376TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Número da peça
IRLHS6376TR2PBF
Fabricante/Marca
Series
HEXFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Digi-Reel®
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
6-VDFN Exposed Pad
Potência - Máx.
1.5W
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-PQFN (2x2)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.6A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.1V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
270pF @ 25V
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